Память Samsung GDDR7 будет использовать модуляцию PAM3 и обеспечит пропускную способность 36 Гбит/с

Компания Samsung, недавно анонсировавшая графическую память GDDR6W, поделилась некоторыми подробностями о памяти следующего поколения GDDR7. По заверениям южнокорейского гиганта, её технология GDDR7 будет на 25% более энергоэффективной, чем стандарт GD…

Выбор оптимального решения для хранения разнородных данных pandas

Проблема выбора формата файла, с которым предстоит работать для чтения и записи  pandas.DataFrame, заключается как раз в том, что есть из чего выбрать: даже сам pandas включает в себя функционал, позволяющий работать с большим перечнем типов файло…

Samsung разработала память GDDR6W с удвоенной ёмкостью и производительностью по сравнению с GDDR6

Компания Samsung сообщила о создании графической памяти нового типа GDDR6W. Основными сферами её применения называют высокопроизводительные графические решения и приложения виртуальной реальности. Новая память GDDR6W основана на решениях Samsung GDDR6 …

Samsung будет производить 3-нм чипы для NVIDIA, Baidu, Qualcomm и IBM – компания выигрывает от напряженности между США и Китаем

Компания Samsung будет использовать свой самый передовой производственный процесс для изготовления чипов четырех известных технологических компаний. Гонка за то, чтобы обогнать TSMC как крупнейшего в мире производителя процессоров, продолжается, в то в…

Micron создала LPDDR5X 1-beta — «самую быструю» оперативную память для мобильных устройств

Компания Micron рассылает опытные образцы того, что по ее утверждению, является самым передовым в мире технологией DRAM. После массовой поставки 1-alpha в 2021 году новая 1-beta LPDDR5X якобы лучше практически во всех отношениях. По данным Micron, узел…

Реализация кэш-компрессии по алгоритму base+delta

Существенную часть кристалла современных ЦП занимает кэш-память. Дальнейшее увеличение кэш-памяти без изменения технологических норм приведет к соответствующему увеличению кристалла. Одним из способов увеличения объема хранимой информации в кэше без ув…

SK hyninx анонсировала первые в мире 238-слойные чипы памяти TLC 4D NAND ёмкостью 512 Гбит

Компания SK hynix заявила, что она разработала первые в мире 238-слойные чипы памяти TLC 4D NAND ёмкостью 512 Гбит. Примечательно, что новейшее 238-слойное решение является одновременно самым многослойным и наименьшим по площади. Благодаря небольшим ра…

Samsung анонсировала память GDDR6 скорость передачи данных 24 Гбит/с – она дебютирует в видеокартах нового поколения

Компания Samsung анонсировала выпуск первых в отрасли чипов памяти GDDR6 со скоростью передачи данных 24 Гбит/с на контакт. Такие чипы будут использоваться в видеокартах AMD и NVIDIA следующего поколения, ноутбуках, игровых консолях и акселераторах ИИ …