Samsung начинает производство чипов на базе 3-нм техпроцесса с архитектурой Gate-All-Around

Компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов на базе своего 3-нанометрового технологического узла с применением архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA). Отметим, архитектура GAAFET, идущая на смену нынешней FinFET, разрабаты…

Samsung в этом квартале запустит массовое производство по техпроцессу 3GAE с использованием транзисторов GAAFET (MBCFET)

Компания Samsung заявила, что она уже в этом квартале готовится к началу крупносерийного производства чипов на базе производственного процесса 3GAE (3 nm-class gate all-around early). Это будет первая в отрасли производственная технология класса 3 нм, …

TSMC подтвердила строительство завода в Японии и предупредила, что поставки чипов будут «ограниченными» на протяжении всего 2022 года

TSMC во время конференц-звонка с инвесторами, посвященного финансовым результатам прошедшего квартала, подтвердила недавние слухи о строительстве завода в Японии, сообщает Reuters. Общим объем инвестиций может достичь 8,8 миллиарда долларов, причем это…

DigiTimes: Samsung Electronics испытывает трудности с освоением техпроцесса 3 нм на основе технологии GAAFET

В недавней заметке о повышении цен на услуги TSMC с отсрочкой перехода на техпроцесс 3 нм мы с оптимизмом вскользь упоминали о планах Samsung Electronics начать выпуск 3-нанометровой продукции в 2022 году. Но если верить сообщению DigiTimes Asia, южнок…

Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET

Об успехах в освоении следующего шага технологических норм (3 нм) и литографических технологий Samsung Foundry рассказала в рамках Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) — там же был продемонстрирован прототип 3-нм кристалла пам…